Samsung verkündet die Entwicklung der weltweit ersten 64 Gigabit "Multi Level Cell" (MLC) NAND Flash Speicher-Chip, welche in 30 Nanometer Technologie gefertigt werden. Bei der Maximal-Kombination von 16 Flash Bausteinen dieser Art, kann Samsung mit dieser Technologie Speicherkarten mit einer Kapazität von bis zu 128GB fertigen. Eine solche Speicherkarte würde rund 27 single Layer DVDs mit je 4,7GB Kapazität oder etwa 32.000 MP3 Musik Dateien zu je 4MB speichern können.
Seit der Entwicklung der NAND Technologie im Jahr 2001 hat sich, bezogen auf den Serienstart der neuen Technologie im Jahr 2009, die Speicherdichte sage und schreibe acht Jahre in Folge jeweils verdoppelt. Im Vorstellungsjahr 2001 beruhte die 1 Gigabit NAND Technologie noch auf 100nm Strukturen.